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STWA70N60DM2

Mfr# STWA70N60DM2
Mfr. STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
Specifiche STWA70N60DM2.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
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Descrizione

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Modello di prodotti STWA70N60DM2
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4224 pcs
Specifiche STWA70N60DM2.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Long Leads
Serie MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs 42 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5508pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)

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