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STP150N3LLH6

Mfr# STP150N3LLH6
Mfr. STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Specifiche STP150N3LLH6.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
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Descrizione

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Modello di prodotti STP150N3LLH6
fabbricante STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12838 pcs
Specifiche STP150N3LLH6.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi 497-9097-5
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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