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SIHP10N40D-GE3

Mfr# SIHP10N40D-GE3
Mfr. Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
Specifiche 1.SIHP10N40D-GE3.pdf 2.SIHP10N40D-GE3.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
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Descrizione

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Modello di prodotti SIHP10N40D-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 29282 pcs
Specifiche 1.SIHP10N40D-GE3.pdf 2.SIHP10N40D-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 600 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 526pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 400V
Descrizione dettagliata N-Channel 400V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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